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专注于半导体与先进电子测试工程，为研发与工程团队提供独立、务实的测试技术支持。
碳化硅 (SiC) MOSFET 功率击穿测试的挑战与系统级解决方案
138深入探讨SiC MOSFET击穿测试的物理挑战，提供涵盖高压源、精密SMU、安全防护及低漏电测量的软硬件协同测试架构。
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深入探讨SiC MOSFET击穿测试的物理挑战，提供涵盖高压源、精密SMU、安全防护及低漏电测量的软硬件协同测试架构。
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芯片、测试路径或结果背后的假设发生变化后，测量结果可能会产生误导。2026年8月11日 - 作者：Gregory Haley 要点总结： 当整片晶圆上的薄膜测量结果符合规格时，该测量结果将沿用至后续生产流程。但测量时的环境可能会发生显著变化，导致一些意想不到的问题，这些问...
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随着 AI 蛋白设计、合成生物学、单细胞功能组学以及抗体药物研发的快速发展，生命科学行业正在经历一次底层技术范式的转变。过去十余年，高通量生物实验更多关注的是“识别细胞是什么”——例如细胞表达了什么蛋白、携带了什么荧光标签、是否属于某种表型类别。这也是传...
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本文详细解析了JEDEC针对碳化硅（SiC）功率器件发布的两项高级测试标准：JEP203与JEP204。由于传统硅基测试标准无法满足宽禁带半导体需求，JEP203专门定义了SiC器件的短...
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在电流体打印（EHD Printing）中，高压放大器是决定打印分辨率与速度的底层驱动基石。其性能主要由三个指标决定：带宽决定了复杂波形（如多阶梯脉冲）的还原度与最高出...
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本文总结了以色列Ariel University的Tsuriel Avraham及其同事于2025年8月7日发表的关于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)宽禁带(WBG)功率器件可靠性挑战与模型的研究综述。研究...
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详细阐述了如何提高氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）宽带隙功率半导体的可靠性。文章指出，虽然SiC和GaN在效率和高频性能上优于传统硅基器件（如IGBT和MOSFET），但作为新...
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