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专注于半导体与先进电子测试工程，为研发与工程团队提供独立、务实的测试技术支持。
芯片、测试路径或结果背后的假设发生变化后，测量结果可能会产生误导。2026年8月11日 - 作者：Gregory Haley 要点总结： 当整片晶圆上的薄膜测量结果符合规格时，该测量结果将沿用至后续生产流程。但测量时的环境可能会发生显著变化，导致一些意想不到的问题，这些问...
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本文详细解析了JEDEC针对碳化硅（SiC）功率器件发布的两项高级测试标准：JEP203与JEP204。由于传统硅基测试标准无法满足宽禁带半导体需求，JEP203专门定义了SiC器件的短...
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本文总结了以色列Ariel University的Tsuriel Avraham及其同事于2025年8月7日发表的关于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)宽禁带(WBG)功率器件可靠性挑战与模型的研究综述。研究...
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详细阐述了如何提高氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）宽带隙功率半导体的可靠性。文章指出，虽然SiC和GaN在效率和高频性能上优于传统硅基器件（如IGBT和MOSFET），但作为新...
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