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精密IV/CV特性分析

精确的电学特性分析解决方案使工程师能够评估器件性能、优化设计并加速半导体创新。

精密IV/CV特性分析
可靠性与电应力测试
高压与动态测量
先进测量与传感

IV/CV特性能告诉您什么?

IV和CV测量提供了关于半导体器件行为的基本信息，从导电性和漏电流到阈值特性、电容和击穿。

精密I-V/C-V特性分析（images 1）

IV特性分析

了解电流-电压行为

  • 输出特性(Id-Vds)、导通状态行为，RDS(on)
  • 传输特性(Id-Vgs)、阈值电压、跨导
  • 泄漏特性，反向漏电流、漏极泄漏、栅极泄漏，
  • 击穿特性，击穿电压、雪崩行
精密I-V/C-V特性分析（images 2）

IV特性分析

了解电流-电压行为

  • 输出特性(Id-Vds)、导通状态行为，RDS(on)
  • 传输特性(Id-Vgs)、阈值电压、跨导
  • 泄漏特性，反向漏电流、漏极泄漏、栅极泄漏，
  • 击穿特性，击穿电压、雪崩行

从测量到器件参数

精密IV/CV测量可提取关键器件参数，用于设计、优化、比较和可靠性评估。

测量
IV/CV扫描漏电流测试温度测量脉冲测试
器件特性
电流传导电容行为漏电机制击穿行为
参数提取
RDS, Vth, gm漏电流电容 击穿电压
工程决定
设计优化过程评估可靠性评估失效分析

典型的参数：

RDS
阈值电压Vth
跨导(gm)
漏电流 (Idss, Igss)
电容 (Ciss, Coss, Crss)
击穿电压(BVdss)
温度系数

测量并不像看起来那么简单

许多因素会影响测量结果，尤其是在低电流、高电压和高精度应用中。
噪声
环境噪声、仪器噪声或接地回路可能会影响您的结果。
漏电流
电缆、固定装置或开关中的寄生泄漏可能与被测器件的漏电流相当。
接触电阻
探针尖端、夹具和接触质量可能显著影响测量的电压和电流。
接地和屏蔽
接地或屏蔽不当可能会导致不稳定或不真实的测量。
钳位和配置
量程、Compliance、积分时间及其他设置可能改变结果。
器件自热
大电流或高功率测试可能会使器件发热并改变其行为。

可靠的测量依赖于整个测量链，而不仅仅是仪器。

一台高性能仪器并不能自动产生可靠的测试结果。在复杂的半导体和电子测试中，测试方法、仪器配置、连接与夹具、接地与屏蔽、测试时序以及器件本身的特性，都可能影响最终的测量结果。

我们的价值，是帮助客户理解测量问题，并找到可行的工程解决方案。

仪器
仪器配置
方法
测试方法
器件
器件特性
连接
连接与夹具
环境
接地与屏蔽
数据
数据分析

典型的应用：

我们支持广泛的半导体器件和材料研究测试需求。

宽带隙半导体

宽带隙半导体

用于下一代电力电子器件的SiC和GaN器件特性分析。
功率半导体器件

功率半导体器件

MOSFET、二极管和先进功率器件的电学分析。
半导体材料研究

半导体材料研究

材料特性和器件结构的表征。
可靠性评估

可靠性评估

通过电性能测试了解性能退化机制和器件稳定性。