精密I-V/C-V特性分析 - 上海爱科集诚科技有限公司-上海爱科集诚科技有限公司

精密IV/CV特性分析

精确的电学特性分析解决方案使工程师能够评估器件性能、优化设计并加速半导体创新。

精密IV/CV特性分析

可靠性与电应力测试

高压与动态测量

先进测量与传感

IV/CV特性能告诉您什么?

IV和CV测量提供了关于半导体器件行为的基本信息，从导电性和漏电流到阈值特性、电容和击穿。

IV特性分析

了解电流-电压行为

输出特性(Id-Vds)、导通状态行为，RDS(on)
传输特性(Id-Vgs)、阈值电压、跨导
泄漏特性，反向漏电流、漏极泄漏、栅极泄漏，
击穿特性，击穿电压、雪崩行

IV特性分析

了解电流-电压行为

输出特性(Id-Vds)、导通状态行为，RDS(on)
传输特性(Id-Vgs)、阈值电压、跨导
泄漏特性，反向漏电流、漏极泄漏、栅极泄漏，
击穿特性，击穿电压、雪崩行

从测量到器件参数

精密IV/CV测量可提取关键器件参数，用于设计、优化、比较和可靠性评估。

测量

IV/CV扫描漏电流测试温度测量脉冲测试

器件特性

电流传导电容行为漏电机制击穿行为

参数提取

RDS, Vth, gm漏电流电容击穿电压

工程决定

设计优化过程评估可靠性评估失效分析

典型的参数：

RDS
阈值电压Vth
跨导(gm)
漏电流 (Idss, Igss)
电容 (Ciss, Coss, Crss)
击穿电压(BVdss)
温度系数

测量并不像看起来那么简单

许多因素会影响测量结果，尤其是在低电流、高电压和高精度应用中。

噪声

环境噪声、仪器噪声或接地回路可能会影响您的结果。

漏电流

电缆、固定装置或开关中的寄生泄漏可能与被测器件的漏电流相当。

接触电阻

探针尖端、夹具和接触质量可能显著影响测量的电压和电流。

接地和屏蔽

接地或屏蔽不当可能会导致不稳定或不真实的测量。

钳位和配置

量程、Compliance、积分时间及其他设置可能改变结果。

器件自热

大电流或高功率测试可能会使器件发热并改变其行为。

可靠的测量依赖于整个测量链，而不仅仅是仪器。

一台高性能仪器并不能自动产生可靠的测试结果。在复杂的半导体和电子测试中，测试方法、仪器配置、连接与夹具、接地与屏蔽、测试时序以及器件本身的特性，都可能影响最终的测量结果。

我们的价值，是帮助客户理解测量问题，并找到可行的工程解决方案。

典型的应用：

我们支持广泛的半导体器件和材料研究测试需求。

主要的挑战：

应对复杂的电学特性表征挑战

低电流测量

精确测量漏电流需要高灵敏度和低噪声性能，尤其对于先进的半导体器件而言更是如此。应用：SiC二极管泄漏栅极漏电流介电分析

高压特性

宽禁带器件在苛刻的电压条件下工作，需要在较宽的电压范围内进行精确测量。应用：击穿电压阻塞特性雪崩行为

电容分析

CV表征提供了有关载流子浓度、界面特性和器件结构的重要信息。应用：MOS结构接口陷阱半导体材料

自动化测试

高效的表征需要可重复的测量序列和可靠的数据管理。应用：晶圆级测试生产研究设备筛查

我们的解决方案：

集成式 I-V/C-V 测量解决方案

我们根据应用需求，通过集成精密仪器、开关系统、测试夹具和自动化软件，设计定制化的测量解决方案。

我们的平台能够以高精度、可重复性和测量效率灵活地表征半导体器件。

被测试器件➡

探针台/夹具➡

SMU/测量仪器➡

自动化软件➡

数据分析和报告

典型的应用：

我们支持广泛的半导体器件和材料研究测试需求。

宽带隙半导体

用于下一代电力电子器件的SiC和GaN器件特性分析。

功率半导体器件

MOSFET、二极管和先进功率器件的电学分析。

半导体材料研究

材料特性和器件结构的表征。

可靠性评估

通过电性能测试了解性能退化机制和器件稳定性。