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面向下一代电子技术的先进测量解决方案

精密I-V/C-V特性分析
可靠性与电应力测试
高压与高速信号驱动
先进传感与成像集成
精密I-V/C-V特性分析（images 1）

通过精确测量了解器件性能

半导体器件研发需要精准可靠的电学表征方法，以深入理解器件性能、失效机制和设计优化方向。

我们结合精密源测量技术、微弱电流测试能力和自动化测试平台，为客户提供从材料研究到器件开发阶段的IV/CV测试解决方案。

主要的挑战：

应对复杂的电学特性表征挑战

低电流测量
精确测量漏电流需要高灵敏度和低噪声性能，尤其对于先进的半导体器件而言更是如此。应用：SiC二极管泄漏门漏介电分析
高压特性
宽禁带器件在苛刻的电压条件下工作，需要在较宽的电压范围内进行精确测量。应用：击穿电压阻塞特性雪崩行为
电容分析
CV表征提供了有关载流子浓度、界面特性和器件结构的重要信息。应用：MOS结构接口陷阱半导体材料
自动化测试
高效的表征需要可重复的测量序列和可靠的数据管理。应用：晶圆级测试生产研究设备筛查

我们的解决方案：

集成式 I-V/C-V 测量解决方案

我们根据应用需求，通过集成精密仪器、开关系统、测试夹具和自动化软件，设计定制化的测量解决方案。

我们的平台能够以高精度、可重复性和测量效率灵活地表征半导体器件。

被测试器件➡

探针台/夹具➡

SMU/测量仪器➡

自动化软件➡

数据分析和报告

典型的系统配置：

灵活的系统架构

精密源测量

源测量单元

微弱信号测试仪器

半导体参数分析

高电压能力

高压放大器

信号发生器

自动化和数据管理

测试序列

数据采集

定制化控制软件

典型的应用：

半导体开发中的应用

宽带隙半导体

宽带隙半导体

用于下一代电力电子器件的SiC和GaN器件特性分析。
功率半导体器件

功率半导体器件

MOSFET、二极管和先进功率器件的电学分析。
半导体材料研究

半导体材料研究

材料特性和器件结构的表征。
可靠性评估

可靠性评估

通过电性能测试了解性能退化机制和器件稳定性。